p>В понедельник на встрече с инвесторами старший вице-президент Samsung Хан Цзинь-Ман (Han Jin-man) сообщил, что компания технически способна выпускать 256-слойную память 3D NAND. Компания уже наладила выпуск 128-слойных однокристальных чипов памяти. Для выпуска 256-слойных микросхем необходимо соединить два 128-слойных кристалла в единый чип. Быстро и эффективно.

По словам Samsung, компания обладает самыми передовыми технологиями для выпуска многослойной памяти 3D NAND. Двухстековые сборки 3D NAND — как компания называет два состыкованных вместе кристалла многослойной памяти — у неё самые совершенные. В то же время Samsung призывает не зацикливаться на максимальном количестве слоёв 3D NAND. Для каждого применения найдётся свой оптимум, считают в компании.

«Фактическое количество слоёв в чипе может меняться в зависимости от потребностей клиентов и рыночных условий, — сказал Хан. — Дело не в том, сколько их можно сложить, а в том, какое количество слоёв является наиболее оптимальным для рынка на данный момент».

Но не стоит расценивать это заявление, как желание Samsung манипулировать предложением и спросом. Всё прозаичнее. При состыковке двух кристаллов на границах соединений всегда будут дефекты, не говоря уже о сложности без дефектов протравить кремниевую пластину на глубину 128 слоёв. Поэтому ни компания, ни кто другой пока не знают, на какое количество слоёв Samsung выйдет при массовом производстве двухстековых «256-слойных» микросхем 3D NAND. Простая арифметика в данном случае не работает и служит простым ориентиром. К слову, у компании были и, возможно, остаются проблемы с высоким уровнем брака при производстве 160-слойных 3D NAND.

Что можно с уверенностью сказать, Samsung остаётся лидером производства флеш-памяти и будет во главе этого производства очень и очень долго, если не всегда. И переход на выпуск 256-слойной памяти она наверняка осуществит первой в мире, и ещё сильнее упрочит своё положение на рынке.