SK hynix предрекает бурное развитие центров обработки данных на ближайшую пятилетку- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  SK hynix предрекает бурное развитие центров обработки данных на ближайшую пятилетку

Новости

SK hynix предрекает бурное развитие центров обработки данных на ближайшую пятилетку
22.03.2021, 03:49:00 
 
p>Прошедший год был охарактеризован резким ростом спроса на серверные компоненты, поскольку экономика начала ускоренными темпами переходить на цифровые рельсы в условиях пандемии. По мнению главы SK hynix, к 2025 году сегмент центров обработки данных удвоится, что позволит компании неплохо заработать на реализации микросхем памяти.

Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Новыми факторами роста серверного сегмента станут, по мнению генерального директора Ли Сок Хи (Lee Seok-hee), станут экспансия сетей 5G, развитие систем искусственного интеллекта и автоматически управляемых транспортных средств. Количество центров обработки данных глобального масштаба, по прогнозам руководства SK hynix, к 2025 году увеличится вдвое до 1060 штук. Соответствующая инфраструктура будет востребована как развитием социальных сетей и онлайн-игр, так и сельским хозяйством или автоматизированными производствами.

По словам главы SK hynix, в ближайшие годы общий объём структурированных и неструктурированных данных будет расти экспоненциально. Потребности центров обработки данных в памяти типа DRAM и NAND будут расти «устрашающими» темпами, как не стесняется заявить руководитель компании. В ближайшие пять лет SK hynix потратит $4,2 млрд на покупку EUV-сканеров марки ASML, которые помогут компании освоить более прогрессивные литографические технологии производства памяти. Как уже отмечалось, $9 млрд будет потрачено на покупку предприятия Intel в Китае, где сейчас выпускается память типа 3D NAND. Корейский производитель намеревается повысить надёжность микросхем DRAM в двадцать раз, чтобы соответствовать требованиям автомобильного сегмента, где активно внедряются системы автопилота. При производстве твердотельной памяти типа 3D NAND количество слоёв будет увеличено с нынешних 176 до 600 штук.

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: