p>Компания Samsung Electronics объявила, что разработала первую в мире память HBM со встроенными вычислительными блоками для задач искусственного интеллекта. Новая память HBM-PIM с архитектурой «вычислений в памяти» более чем в два раза увеличит производительность ИИ-платформ и систем машинного обучения с одновременным снижением потребления на 70 %.

По словам компании, память HBM-PIM (processing-in-memory) представляет собой новый подход в архитектуре вычислительных систем. Если в классической архитектуре фон Неймана процессор и память находятся в разных местах и вынуждены передавать данные для обработки и хранения в обоих направлениях, то в случае архитектуры HBM-PIM данные обрабатываются прямо в памяти — там, где они хранятся.

Архитектура HBM-PIM полностью программируемая, что позволит использовать память в массе приложений от машинного обучения до принятия решений и логических выводов. Оптимизированный DRAM ИИ-движок размещён в каждом банке памяти и обеспечивает параллельную обработку данных. Что самое важное, применение памяти HBM-PIM не требует каких-либо изменений аппаратного или программного обеспечения, что позволяет ускорить интеграцию в существующие системы.

К слову, многие клиенты Samsung заняты тестированием памяти HBM-PIM на своих платформах в системах с ускорителями ИИ. Ожидается, что проверки будут завершены в первой половине этого года, а затем последует внедрение новой памяти в коммерческую продукцию. Более подробно Samsung обещает рассказать о новой памяти 22 февраля на конференции ISSCC.