p>Компания Samsung планирует значительно расширить сферу применения памяти MRAM. Об этом, как сообщают сетевые источники, заявили представители подразделения Samsung Foundry в рамках мероприятия Semicon Korea.

Память MRAM, или Magnetoresistive Random Access Memory, — это магниторезистивная память с произвольным доступом. Информация в MRAM хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.

Изделия MRAM являются энергонезависимыми, то есть могут хранить данные без подачи питания. Магниторезистивный эффект, лежащий в основе технологии, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики.

Весной 2019 года компания Samsung организовала массовое производство встраиваемой магниторезистивной памяти eMRAM на базе 28-нм технологического процесса FD-SOI (полностью обеднённый кремний на изоляторе). По сравнению со встраиваемыми флеш-чипами решения eMRAM обладают более высокой энергоэффективностью и примерно в 1000 раз более высокой скоростью записи (eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных).

Ранее говорилось, что память eMRAM ориентирована на сферы Интернета вещей и искусственного интеллекта. Теперь в Samsung заявляют о намерении использовать память MRAM во многих других областях. Среди них названы носимые устройства, автомобильная электроника, графическая память, низкоуровневый кеш и пр.