p>Десять лет назад HP сообщила о разработке «четвёртого электротехнического элемента» — мемристора. На деле, это целый класс энергонезависимой памяти, в основе которой лежит эффект управления сопротивлением ячейки. Мемристоры улучшат параметры памяти для энергонезависимого хранения данных, но у них так же, как и у флеш-памяти, есть предел масштабирования, хотя он намного дальше. Учёные обещают расширить границы масштабирования до уровня атомов.

Повышение плотности записи мемристоров или резистивной памяти ReRAM, как она чаще называется в прессе, это главное стремление исследователей. Учёные из Техасского университета в Остине разработали теорию и испытали на практике запоминающий элемент сопоставимый с атомом. В своей работе, опубликованной в издании Nature Nanotechnology, они обещают перспективы достижения плотности записи в 25 Тбит на см², а сам элемент назвали атомристором.

Самое интересное, что материалов для ячеек атомисторов может быть великое множество. В своём исследовании учёные проводили эксперимент с дисульфидом молибдена (MoS₂). Идея заключается в том, чтобы дефект или вакансию в кристаллической структуре вещества (в данном случае — MoS₂), заместил один атом металла. Этот один атом меняет проводимость материала или, по-простому, его сопротивление.

Технология представляется простой, но предстоит ещё масса исследований и разработка устройств записи и считывания, которые могли бы оперировать отдельными атомами, направляя их в дефекты кристаллических решёток и извлекая их обратно. Но 25 Тбит на см² — это впечатляет!