p>Прошедший 2019 год не был самым простым для производителей памяти, поскольку они сильно потеряли в выручке, поэтому сложности текущего года их не испугают. Производители памяти заранее решили ограничить количество обрабатываемых кремниевых пластин, но растущий спрос они готовы удовлетворять за счёт увеличения плотности размещения транзисторов.

Поскольку так называемый «закон Мура», предписывающий регулярное увеличение количества размещаемых на одном квадратном миллиметре площади транзисторов, пока ещё действует, производители памяти готовы его использовать себе во благо. Как отмечает издание Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics сохранила количество закупаемых кремниевых пластин на уровне 2018 года, но при этом валовой объём выпуска продукции в пересчёте на единицы объёма для хранения данных вырос на 39 %. Этого удалось добиться за счёт внедрения пространственных компоновок и перехода на более прогрессивные литографические технологии.

Если говорить о микросхемах оперативной памяти, то Samsung продолжает мигрировать с техпроцесса 10-нм класса первого поколения на третье поколение того же техпроцесса. Условно говоря, к 10-нм классу относятся все ступени литографии от 19 нм до 10 нм. Переход от одного поколения техпроцесса к другому позволяет получать с кремниевой пластины фиксированной площади на 20–30 % больше микросхем памяти. Ну а переход от первого поколения 10-нм техпроцесса к четвёртому, которое уже подразумевает использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), позволяет удвоить выход микросхем с единицы площади кремниевой пластины.

Твердотельная память Samsung типа 3D NAND перешла на 128-слойную компоновку ещё в конце прошлого года, корейский гигант опередил всех конкурентов. Более того, в исполнении Samsung стеки памяти с количеством слоёв до 200 штук могут быть монолитными, тогда как конкуренты за рубежом ста слоёв начинают использовать составные стеки, что увеличивает затраты на изготовление памяти. Компания уже приступила к разработке 160-слойной памяти типа 3D NAND. В текущем году она рассчитывает увеличить валовой объём выпуска твердотельной памяти на 30 %, довольствуясь имеющимися производственными мощностями.

Источник: 3DNews