p>На прошлой неделе из уст главы Intel звучали очередные обещания вернуть «закон Мура» на старые рельсы, что позволило бы переходить на новый техпроцесс каждые два или два с половиной года. На конференции IEDM выяснилось, что Intel выбирает более высокий темп для смены техпроцессов на ближайшие десять лет. Например, если 5-нм техпроцесс будет освоен к 2023 году, то к 2029 году компания рассчитывает перейти к 1,4-нм технологии.

Представителю сайта AnandTech удалось запечатлеть этот слайд из презентации Intel на конференции IEDM. Становится очевидно, что из диапазона от двух до двух с половиной лет компания выбрала более амбициозный вариант при определении периодичности смены техпроцессов. Как ранее заявляли представители процессорного гиганта, архитектурные решения не должны быть привязаны к конкретной ступени литографии. На указанном слайде этот принцип реализован в возможности перенести продукты, изначально запланированные к выпуску по более прогрессивной технологии, «на шаг назад» к предыдущему техпроцессу.

Внедрить литографию со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), как уже отмечалось, компания Intel собирается в 2021 году в рамках 7-нм техпроцесса. Глава Intel недавно подтвердил, что первый 7-нм продукт выйдет в конце 2021 года. В своём развитии каждый техпроцесс должен пройти три фазы. Через год после дебюта должна появляться вариация с одним «плюсом» в условном обозначении, через два года — с двумя «плюсами». В тот же год должен реализоваться переход на более продвинутые литографические нормы, их освоение будет идти с перекрытием.

Что характерно, на 2023 год намечено освоение неких новых «литографических функций». Если учесть, что этот период в графике Intel ассоциируется с освоением 5-нм технологии, а ASML к тому моменту начнёт поставки литографических сканеров нового поколения, то речь наверняка идёт о EUV-литографии с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). Кроме того, на пути к освоению 1,4-нм техпроцесса Intel вынуждена будет экспериментировать с использованием новых материалов и полупроводниковых структур. Главное, чтобы в конце этого пути компания не стала жертвой своих амбиций в очередной раз, как это случилось в истории с 10-нм техпроцессом.

Источник: 3DNews