На днях компания Tsinghua Unigroup сообщила о достижении соглашения с властями города Чунцин на постройку крупного полупроводникового кластера. В кластер войдут исследовательские, производственные и академические комплексы. Но главное, что Tsinghua остановилась на Чунцине, как на площадке для строительства своего первого завода для выпуска микросхем оперативной памяти типа DRAM. До этого холдинг Tsinghua силами дочерней компании Yangtze Memory Technologies (YMTC) приступил к производству памяти 3D NAND. Объявление о выходе на рынок памяти DRAM компания Tsinghua Unigroup сделала в начале июля.

Процедура подписания соглашения

Стратегический договор о сотрудничестве с властями Чунцина и местными компаниями и фондами был подписан в прошлом году. На тот момент предполагалось, что Tsinghua (YMTC) будет строить в окрестностях города ещё одно производство для выпуска 3D NAND. Два дня назад Tsinghua сообщила, что принято решение и составлен договор о намерении построить в Чунцине завод для выпуска DRAM на пластинах диаметром 300 мм.

Чарльз Као (справа) и Сунь Шивэй (слева)

Источник: 3DNews