p>Модули памяти, построенные на чипах Samsung B-die, пожалуй, являются одним из самых популярных вариантов в среде энтузиастов. Однако южнокорейский производитель считает их устаревшими и в настоящее время останавливает их производство, предлагая на смену другие микросхемы DDR4-памяти, для производства которых применяются более новые техпроцессы. Это значит, что жизненный цикл небуферизованных модулей DDR4-памяти Samsung, основанных на микросхемах B-die, к настоящему моменту завершился, и в скором времени они пропадут из продажи. Прекратят поставки подобных модулей и прочие производители, которые используют в своих изделиях микросхемы Samsung B-die.

Чипы Samsung B-die и модули памяти на их основе завоевали широкое признание благодаря универсальности и разгонному потенциалу. Они прекрасно масштабируются по частоте, хорошо реагируют на рост напряжения питания и допускают работу при крайне агрессивных таймингах. Отдельным важным плюсом модулей на базе микросхем Samsung B-die выступает их неприхотливость и широкая совместимость с различными контроллерами памяти, за что они особенно любимы владельцами систем на базе процессоров Ryzen.

Однако для производства чипов B-die используется достаточно старый технологический процесс с нормами 20 нм, поэтому желание компании Samsung отказаться от выпуска таких полупроводниковых устройств в пользу более современных альтернатив вполне понятно. Не так давно компания объявила о начале производства чипов DDR4 SDRAM по технологии 1z-нм класса (третьего поколения), а микросхемы, произведённые по техпроцессу с нормами 1y-нм (второго поколения), выпускаются уже более полутора лет. Именно на них и призывает переходить производитель. Чипам же B-die официально установлен статус EOL (End of Life) — окончание жизненного цикла.

Вместо легендарных чипов Samsung B-die теперь распространение будут приобретать другие предложения. Стадии массового производства достигли чипы M-die, для создания которых используется техпроцесс с нормами 1y нм. Также до стадии квалификационного производства добрались и чипы A-die, производимые по ещё более прогрессивной технологии c нормами 1z нм. Это значит, что память на чипах M-die появится в продаже в самое ближайшее время, а модули, построенные на микросхемах A-die, станут доступны пользователям в течение полугода.

Главным преимуществом новых микросхем памяти с обновлёнными ядрами, помимо современных техпроцессов и потенциально более высокого частотного потенциала, выступает также их увеличенная ёмкость. Они позволяют выпускать односторонние модули DDR4-памяти с ёмкостью 16 Гбайт и двухсторонние модули с ёмкостью 32 Гбайт, что ранее было невозможно.

Стоит напомнить, что этим летом можно ждать существенных изменений в номенклатуре имеющихся на рынке модулей памяти DDR4 SDRAM. Помимо новых чипов Samsung в планках памяти также должны начать применяться чипы E-die компании Micron и C-die компании SK Hynix. Вполне вероятно, что все эти изменения станут причиной роста не только среднего объёма, но и частотного потенциала среднестатистических модулей DDR4 SDRAM.

Источник: 3DNews