Компания Samsung Electronics продолжает погружение в техпроцесс класса 10 нм. На этот раз всего через 16 месяцев после начала массового производства памяти DDR4 с использованием техпроцесса второго поколения 10-нм класса (1y-nm) южнокорейский производитель завершил разработку кристаллов памяти DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм (1z-nm). Что важно, техпроцесс третьего поколения 10-нм класса по-прежнему использует 193-нм литографические сканеры и не опирается на малопроизводительные пока сканеры диапазона EUV. Это означает, что переход к массовому выпуску памяти с использованием новейшего техпроцесса 1z-nm будет сравнительно быстрым и без значительных финансовых затрат на переоснащение линий.

Источник: 3DNews