p>Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых флеш-модулей embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 вместимостью 512 Гбайт.

Изделия рассчитаны на высокопроизводительные мобильные устройства — прежде всего на флагманские смартфоны. Модули eUFS 3.0 обеспечивают двукратный прирост быстродействия по сравнению с изделиями предыдущего поколения — eUFS 2.1.

Так, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с. Для сравнения: у eUFS 2.1 этот показатель составляет до 1000 Мбайт/с.

По сравнению с твердотельными накопителями SATA SSD модули eUFS 3.0 демонстрируют четырёхкратное увеличение скорости чтения, а по сравнению с обычными картами microSD — 20-кратное.

Скорость записи у модуля eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт достигает 410 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи составляет до 63 000 и 68 000 соответственно.

В составе нового изделия используются восемь 512-гигабитных кристаллов V-NAND. Кроме того, в состав модуля входит высокопроизводительный контроллер.

Samsung Electronics также отмечает, что во второй половине текущего года планируется начать производство модулей eUFS 3.0 вместимостью 1 Тбайт. 

Источник: 3DNews