Разработана DRAM с уменьшенным числом контактов, которая экономит деньги и время- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Разработана DRAM с уменьшенным числом контактов, которая экономит деньги и время

Новости

Разработана DRAM с уменьшенным числом контактов, которая экономит деньги и время
21.01.2019, 06:30:07 
 

Тайваньская компания Etron Technology на выставке CES 2019 предложила фактически новую архитектуру памяти DRAM. Разработка называется RPC DRAM или память с уменьшенным числом контактов (Reduced Pin Count). Как уверяет разработчик, по пропускной способности чип RPC DRAM приближается к памяти DDR4 и обладает одинаковой с ней плотностью. В то же время чип RPC DRAM содержит примерно в два раза меньше сигнальных выводов, что даёт возможность выпускать память в сравнительно небольших корпусах.

Сравнение корпусов DRAM и RPC DRAM (EE Times)

Сравнение корпусов DRAM и RPC DRAM (EE Times)

Это чрезвычайно важная особенность, которая востребована в носимой и другой компактной электронике. Стандартный чип DDR4 с 96 контактами и размером корпуса 9 × 13 мм явно не поместится в дужке умных очков типа Google Glass, тогда как чип RPC DRAM размерами 2 × 4,7 мм с 50 контактами поместится туда без особых проблем. Но дело не только в размерах. Уменьшенное число контактов упрощает проектирование решений с использованием памяти RPC DRAM и, соответственно, ускоряет появление готовых продуктов. К тому же далеко не всегда приходится использовать весь потенциал стандартных чипов (интерфейсов) памяти DRAM. Поэтому в специализированных устройствах часть возможностей DRAM идёт в нагрузку и далеко не бесплатно. Зачем же за это платить?

Стандартная память DRAM плохо подходит для специализированных решений (Etron)

Стандартная память DRAM плохо подходит для специализированных решений (Etron)


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: