p>История с переходом на техпроцесс с нормами 10 нм пошла по тому же сценарию, что и история с переходом на 14-нм техпроцесс. Если коротко — уровень брака настолько большой, что массовое производство с нормами 10 нм продолжает оставаться невыгодным. Во второй половине прошлого года компания начала поставки первых 10-нм процессоров для рынка сверхтонких ноутбуков и трансформируемых систем (поколение процессоров Cannon Lake). Полгода спустя после этого высокий уровень брака делает невозможным увеличить производство даже этих решений, не говоря уже о начале выпуска 10-нм процессоров второго поколения (Ice Lake). Эту печальную информацию директор Intel Брайан Кржанич объявил и объяснил на квартальной конференции, посвящённой отчёту о работе в первом квартале 2018 года.

В первом квартале текущего года, о чём мы рассказали в отдельной заметке, Intel добилась рекордных показателей по выручке и чистой прибыли. Замедление вывода на рынок 10-нм продуктов вряд ли сильно скажется на финансовых показателях компании в следующие несколько кварталов. Проблемы с началом массового производства 10-нм продуктов сильнее ударят по репутации компании, которая долгие годы была технологическим лидером. В принципе, по характеристикам производимых полупроводниковых приборов компании GlobalFoundries и TSMC догонят Intel только к концу следующего года или даже в 2020 году, когда начнут массово выпускать чипы с использованием второго поколения 7-нм техпроцесса (с использованием EUV-литографии). Компания Samsung, тем не менее, уже нынешней осенью начнёт выпускать 7-нм продукцию, отчасти превосходящую по характеристикам 10-нм продукцию Intel.

Интересно отметить, что 7-нм производство Samsung, как и 10-нм производство Intel, использует исключительно иммерсионную литографию на основе 193-нм сканеров. По уровню брака на 7-нм линиях Samsung мы сможем оценить, смогла ли южнокорейская компания создать производство более развитое, чем у Intel.

В то же время руководство Intel заявило, что компания поплатилась за желание «откусить больше, чем смогла проглотить». Обычно с переходом на новый техпроцесс размеры элементов ужимаются в 1,5–2 раза. В Intel всегда стремились оказаться лучше других и, например, при переходе к 14-нм техпроцессу увеличили плотность размещения элементов на кристалле в 2,4 раза. При переходе к 10-нм производству было решено увеличить плотность в 2,7 раза. Как результат, компания не смогла справиться с возросшим уровнем брака. Впрочем, в компании успокаивают, что проблема определена и разработана методика по её устранению. Производство с нормами 10 нм будет отлажено и заработает на полную мощность в течение 2019 года. Когда конкретно, правда, Кржанич не уточнил.

Источник: 3DNews