p>Samsung Electronics на этой неделе показала модуль памяти объёмом 64 Гбайт на базе микросхем ёмкостью 16 Гбит. Продемонстрированный RDIMM предназначен для серверов общего назначения, но позже в этом году указанные чипы памяти будут использованы для модулей памяти объёмом 128 и 256 Гбайт для серверов непрерывного действия.

Монолитные интегральные схемы памяти DDR4 компании Samsung ёмкостью 16 Гбит рассчитаны на скорость передачи данных 2666 МТрансферов/с при напряжении питания 1,2 Вольта. Данные микросхемы производятся с использованием «передового» технологического процесса, но Samsung не раскрывает детали о каком именно техпроцессе идёт речь (логично предполагать, что Samsung использует одну из своих технологий класса «10 нанометров»). Единственное, что мы знаем о новых чипах (помимо ёмкости и скорости), это то, что монолитная архитектура и новый техпроцесс позволяют снизить энергопотребление 64-Гбайт модуля памяти на 20 % по сравнению с аналогичным модулем на базе 8-Гбит микросхем.

Микросхемы памяти ёмкостью 16 Гбит как таковые не являются прорывом. Производители памяти, в том числе Samsung, собирают многослойные DRAM-сборки с использованием TSV-соединений ёмкостью 16–32 Гбит. Типично такие чипы используются для модулей памяти объёмом 64 и 128 Гбайт. Применение многослойных сборок усложняет организацию подсистем памяти. Так, современный 64-Гбайт RDIMM представляет собой четырёхранговый модуль (с двумя физическими и двумя логическими рангами), тогда как модуль объёмом 128 Гбайт имеет восемь рангов (два физических, четыре логических). Сложность архитектуры, а также использование модулей типа LRDIMM (использующих дополнительные буферы) увеличивают задержки модулей памяти, а значит снижают производительность. Например, LRDIMM ёмкостью 64 и 128 Гбайт имеют задержки CL20/CL22 для режимов DDR4-2400/DDR4-2666 соответственно.

Монолитные микросхемы памяти большой ёмкости (16 Гбит в случае с Samsung) позволяют создавать модули и подсистемы оперативной памяти с меньшим количеством чипов, снижая энергопотребление и уменьшая количество рангов в случае с серверами. Так, демонстрируемый RDIMM ёмкостью 64 Гбайт имеет два ранга, против четырёх в случае с сегодняшними модулями аналогичного объёма. Чуть позже в этом году Samsung планирует представить 128-Гбайт RDIMM на базе 16-Гбит чипов c четырьмя рангами, а также 256-Гбайт LRDIMM с восемью рангами.

Современные серверы на базе процессоров AMD EPYC и Intel Xeon Scalable M оснащены 12 или 16 разъёмами памяти на процессорное гнездо. В случае если указанные CPU и платформы способны работать с 16-Гбит микросхемами и 256-Гбайт модулями памяти DDR4, актуальные серверы могут быть экипированы 3–4 Тбайт памяти на процессор. Подобные объёмы ОЗУ станут огромным преимуществом для различных приложений (например, баз данных), требующих больших объёмов оперативной памяти.

Если же говорить о клиентских платформах (при условии, что они поддерживают микросхемы ёмкостью 16 Гбит и DIMM на их базе), то новые чипы памяти от Samsung могут позволить разработчикам модулей создавать устройства объёмом 32 Гбайт. Последние позволят производителям ПК и энтузиастам устанавливать 256 Гбайт оперативной памяти в высокопроизводительные настольные ПК и рабочие станции на базе процессоров вроде Intel Core i7/i9.

В Samsung говорят, что микросхемы памяти DDR4 ёмкостью 16 Гбит доступны для клиентов уже сейчас, но, естественно, не раскрывают имена своих партнёров, кто планируют использовать данные чипы. Компания также не объявляет стоимость новых 64-Гбайт RDIMM, но поскольку эти продукты нацелены на серверы, они будут продаваться по соответствующим ценам. Что касается стоимости модулей объёмом 128 Гбайт и 256 Гбайт, то пока их сложно даже предполагать. Например, Crucial продает свои 128-Гбайт DDR4 LRDIMM по $4000 (почти 229 тысяч рублей). Учитывая, что будущие модули Samsung обещают предложить больший объём и большую энергоэффективность, их цена будет ожидаемо выше.

Источник: 3DNews