IBM и Samsung придумали вертикальные транзисторы VTFET — они позволят обойти Закон Мура и создавать сверхэффективные чипы- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  IBM и Samsung придумали вертикальные транзисторы VTFET — они позволят обойти Закон Мура и создавать сверхэффективные чипы

Новости

IBM и Samsung придумали вертикальные транзисторы VTFET — они позволят обойти Закон Мура и создавать сверхэффективные чипы
13.12.2021, 10:34:00 
 
p>На конференции IEDM, прошедшей в Сан-Франциско, компании IBM и Samsung представили новую разработку, предусматривающую вертикальное размещение транзисторов в чипах. Технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) позволяет или заметно поднять производительность, или снизить энергопотребление чипа в сравнении с традиционными микросхемами сопоставимого размера.


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: